热法原子层沉积（TALD）适用于钙钛矿薄膜制备，占地小，可兼容各类洁净室要求的系统，

技术参数：
基片尺寸：4英寸、6英寸；
加热温度：25℃~350℃；
温度均匀性：±1℃；
前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；
前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；
PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏HMI控制；
模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测
样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；
压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr
两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；
在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现;
氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟（同类最佳）
高纵横比沉积，具有良好的共形性
曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；
预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；
简单便捷的系统维护及安全联锁；

目前可以沉积的材料包括：
1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...  
3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4）金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...  
5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ...  
6）复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...  
7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

热法原子层沉积系统（TALD）